logo

次世代パワーデバイスの開発には、パワー半導体チップのみならず、パワーデバイスを構成する材料の改良が必要となります。特に、運用温度300℃を可能とするSiC製チップを用いたパワーデバイスの性能をフル活用するためには、最大温度300℃でも機能を損なわない構成材料が必要となります。
パワーデバイス材料の性能を評価する試験方法は、パワーサイクル試験が代表的ですが、試験を行うには、実際に半導体チップが搭載されたパワーデバイスを製作する必要があります。しかしながら、パワーデバイス製作には多くの資材、機材、ノウハウが必要となります。当社ではお客様の開発した材料を組み込んだ材料評価用パワーデバイスを製作し、各種評価試験データをご提供、さらにカタログスペック取得までのワンストップサービスを提供しております。

第三者試験機関として完全に独立した機関のため、公正中立な評価を行い、信頼できるデータを提供します。当サービスは世界的に有名なISO/IEC 17025という試験所に対しての認定を取得しています。定期的にアメリカのA2LAから監査を受けるとともに、非常に厳しい社内の品質管理システムがあり、提供する試験評価は全て高い信頼性が担保されています。当社は1975年の設立以来、お客様の要望にNOを言わない基本方針で世界基準をクリアし、信頼できる評価を提供してきました。